Setelah menamatkan sekolah menengahnya, Robert Dennard kemudian melanjutkan sekolahnya dengan masuk di perguruan tinggi di Southern Methodist University di jurusan Teknik Elektro, Dia menerima gelar B.S. dan M.S dari sana pada tahun 1954 dan 1956, kemudian melanjutkan studinya Doktoralnya di Institut Teknologi Carnegie di Pittsburgh, Pennsylvania yang kemudian mendapatkan gelar Ph.D pada tahun 1958. karir profesionalnya kemudian dihabiskan sebagai peneliti for International Business Machines (IBM). Rasa ingin tahu dan membuat sesuatu lebih simpel kemudian membawa hal tersebut untuk perbaikan ke IBM, di mana dia mengembangkan memori satu-transistor dynamic random access (DRAM). Pada IBM, ia juga mengembangkan teori signifikan pada skala perangkat elektronik, yang telah menjadi kekuatan pendorong dalam mikroelektronika. Untuk prestasi ini, Dennard adalah penerima Penghargaan Lemelson-MIT Lifetime Achievement $ 100.000 pada tahun 2005 .
Pada tahun 1966 Dennard adalah anggota dari tim IBM melakukan penelitian pada sel memori enam transistor, dan dia pikir harus ada metode sederhana untuk membangun memori dalam teknologi ini. Solusinya berkembang sebagai transistor efek medan tunggal yang melakukan pembacaan dan penulisan informasi yang disimpan sebagai muatan listrik pada kapasitor, sekarang dikenal sebagai sel DRAM. DRAM kemudian di patenkan pada tahun 1968,. Dennard juga termasuk orang pertama untuk mengenali potensi yang luar biasa dari perampingan MOSFET. Teori scaling ia dan rekan-rekannya dirumuskan pada tahun 1974 pada dasarnya mengamati bahwa MOSFET akan terus berfungsi sebagai saklar tegangan yang dikendalikan sementara semua tokoh kunci seperti kepadatan jasa tata letak, kecepatan operasi, dan efisiensi energi akan meningkatkan disediakan dimensi geometris, tegangan, dan doping konsentrasi yang konsisten bersisik seperti untuk mempertahankan medan listrik yang sama. Properti ini mendasari Hukum Moore yang ditemukan oleh Robert Moore Pendiri Intel dan evolusi mikroelektronik selama beberapa dekade terakhir.
Dari Sinilah kemudian RAM atau Random Access Memory mulai dikembangkan, RAM (Random Access Memory) disebut memory pada PC, sebetulnya mengacu pada RAM (Random Access Memory). sebuah komputer membutuhkan RAM untuk menyimpan data dan instruksi yang dibutuhkan untuk menyelesaikan sebuah perintah (task). Data ataupun instruksi yang yang didedikasikan khusus untuk menyimpan data yang tidak tertampung dari RAM. Bagian khusus pada harddisk yang didedikasikan khusus ini disebut sebagai virtual memory. Paging file atau juga dikenal sebagai swapfile pada operating system Windows adalah salah satu contoh dari virtual memory.
Jika paging file sering diakses, maka akan sangat signifikan menurunkan kinerja PC. Sebagai lustrasi, CPU hanya membutuhkan waktu 200 ns (nano second) untuk mengakses data pada RAM. Sedangkan untuk mengakses virtual memory pada harddisk, CPU akan membutuhkan waktu sekitar 12.000.000 ns. Atau perbandingannya butuh waktu CPU mengakses paging files pada harddisk sekitar 60.000 kali lebih lama dibandingkan jika CPU mengakses data dari RAM. Selain kinerja PC terasa melambat drastis, masih ada pertanda lainnya. Seperti akses harddisk yang berlebihan. Bahkan saat Anda tidak memerintahkan sebuah proses baru. Seperti membuka file, melakukan save data, ataupun hal serupa.
Harddisk terus bekerja, karena CPU membutuhkan data paging file yang tersimpan di dalamnya. Ini memang tidak akan selalu terjadi. Saat loading beban PC masih rendah, memory masih dapat menampung data dan instruksi yang aktif. Ketika beban PC full, dan loading data dan instruksi semakin banyak, memory mulai kehabisan tempat. Dan jika hal ini yang memang terjadi pada PC Anda, dapat dijadikan salah satu tolok ukur bahwa sistem Anda membutuhkan kapasitas RAM yang lebih besar. Setelah penemuan DRAM oleh Robert Dennard beberapa tahun kemudian Jenis RAM terus dikembangkan agar prosesnya menjadi lebih cepat
RAM (Random Access Memory) temuan Robert Dennard |
- SRAM (Static Random Access Memory)
- NV-RAM (Non-Volatile Random Access Memory)
- DRAM (Dynamic Random Access Memory)
- FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory)
- EDO RAM (Extended Data Output Dynamic Random Access Memory)
- DR DRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)
- SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
- DDR (Double Data Rate)
- DDR2 (Double Data Rate 2)
- DDR3 (Double Data Rate 3)
- Carnegie Mellon University Kehormatan Doctor of Science dan Teknologi (2010)
- IEEE Medal of Honor (2009)
- IEEE Edison Medal (2001)
- Benjamin Franklin Medal Teknik Elektro dari Institut Franklin (2007)
- US National Academy of Engineering (NAE) Charles Stark Draper Prize (2009)
- Industri Research Institute (IRI) Achievement Award
- US National Medal of Technology (1988)
- IEEE Cledo Brunetti Award (1982)
- IBM Fellow (1979)
- http://en.wikipedia.org/wiki/Robert_H._Dennard
- http://sdital-manarcbr.blogspot.com/2013/01/penemu-ram-random-access-memory.html
- http://web.mit.edu/invent/a-winners/a-dennard.html
Kumpulan Biografi Tokoh Terkenal dan Tokoh Indonesia Lengkap www.kolom-biografi.blogspot.com
0 komentar:
Posting Komentar